Выжимаем соки из пк: разгон памяти

Описание процессора и процедура разгона

Процессоры с сокетом 2011 третьей ревизии обладают встроенным контроллером памяти, что не дает раскрыть процессорам данного поколения весь потенциал оперативной памяти, но это с лихвой компенсируется тем, что они предназначены для работы в четырехканальном режиме.

Начинать разгон оперативной памяти Kingston стоит с программы БИОСа

Для начала стоит обратить внимание на базовый генератор, где предстоит выставить число 125 мегагерц, а входное напряжение должно быть равным 1,475 вольта. Там, во вкладке Extreme Tweaker, есть раздел DRAM Timing Control, где выставляются параметры таймингов — 13-16-16-21-1Т

После выставления настроек можно проверить в программах, которые предназначены для диагностики системы. Таким образом, удалось обеспечить разгон оперативной памяти DDR4 HyperX Fury до трех гигагерц. Это самый лучший результат. Разгон оперативной памяти DDR4 с 2133 до 3000 мегагерц позволяет системе быстрее функционировать и отвечать на запросы.

И какое это значение имеет для моего компьютера?

Представьте себе, вы после давненько совершённой покупки ноутбука решили добавить ещё одну планку оперативной памяти к уже имеющейся. Среди всего прочего, ориентируясь по наклеенному лейблу или на основании программ-бенчмарков можно установить, что по характеристикам таймингов модуль попадает под категорию CL-9 (9-9-9-24):

То есть данный модуль доставит до ЦПУ информацию с задержкой 9 условных циклов: не самый быстрый, но и не самый плохой вариант. Таким образом, нет смысла зацикливаться на приобретении планки с более низкими показателями задержки (и, теоретически, более высокими характеристиками производительности). Например, как вы уже догадались, 4-4-4-8, 5-5-5-15 и 7-7-7-21, у которых количество циклов равно соответственно 4, 5 и 7.

первый модуль опережает второй почти на треть цикла

Как вы знаете по статье “Как выбрать оперативную память?“, параметры таймингов включают ещё одни важные значения:

• CL – CAS Latency – время, затрачиваемое на цикл “модуль получил команду – модуль начал отвечать“. Именно этот условный период уходит на ответ процессору от модуля/модулей
• tRCD – задержка RAS к CAS – время, затрачиваемое на активацию строчки (RAS) и столбца (CAS) – именно там данные в матрице и сохраняются (каждый модуль памяти организован по типу матрицы)
• tRP – заполнение (Зарядка) RAS – время, затрачиваемое на прекращение доступа к одной строчке данных и начало доступа к следующей
• tRAS – означает как долго придётся самой памяти ждать очередного доступа к самой себе
• CMD – Command Rate – время, затрачиваемое на цикл “чип активирован – первая команда получена (или чип готов к приёму команды)”. Иногда этот параметр опускается: он всегда составляет один или два цикла (1Т или 2Т).

“Участие” некоторых из этих параметров в принципе подсчёта скорости работы оперативной памяти, можно также выразить в следующих рисунках:

Кроме того, время задержки до момента, когда планка начнёт отсылать данные, можно подсчитать самому. Здесь работает простая формула:

Время задержки (сек) = 1 / Частоту передачи (Гц)

Таким образом, из рисунка с CPUD можно высчитать, что модуль DDR 3, работающий с частотой 665-666 МГц (половина декларируемого производителем значения, т.е. 1333 МГц) будет выдавать примерно:

1 / 666 000 000 = 1,5 нсек (наносекунд)

периода полного цикла (время такта). А теперь считаем задержку для обоих вариантов, представленных в рисунках. При таймингах CL-9 модуль будет выдавать “тормоза” периодом 1,5 х 9 = 13,5 нсек, при CL-7 : 1,5 х 7 = 10,5 нсек.

Что можно добавить к рисункам? Из них видно, что чем ниже цикл зарядки RAS, тем быстрее будет работать и сам модуль. Таким образом, общее время с момента подачи команды на “зарядку” ячеек модуля и фактическое получение модулем памяти данных, высчитывается по простой формуле (все эти показатели утилиты типа CPU-Z должны выдавать):

tRP + tRCD + CL

Как видно из формулы, чем ниже каждый из указываемых параметров, тем быстрее будет ваша оперативная память работать.

Разгон ОЗУ

При работе с частотами 2400 мегагерц можно выставить тайминги по умолчанию или с показателями 15-15-15-32. Для разгона до 3333 мегагерц понадобится одна уловка. Дело в том, что оперативная память от данного производителя не даст запуститься системе, если первое значение в таймингах будет меньше двадцати. Получается, что оптимальный вариант будет выглядеть следующим образом: 20-19-19-38.

При минимальном латентном показателе 15-15-15-32 и с частотой 2400 мегагерц скорость чтения файлов всего 18180 мегабайт в секунду. С аналогичной частотой, но в стоковом режиме 17-17-17-39 показатели чтения данных не меняются. При разгоне модуля до 3333 мегагерц скорость чтения информации возрастает до 24 тысяч мегабайт в секунду.

В стоковом режиме оперативная память в играх демонстрирует показатели от 50 до 60 кадров, а при разгоне данный показатель дает прирост в 10-15 кадров. При этом настройки графики в играх выставлены на максимальное значение.

Комплектация Kingston HyperX Fury

Комплектация планок оперативной памяти от Kingston довольно скромная и не содержит ничего лишнего. Пластиковый кейс надежно защищает модули от внешних повреждений, которые могут возникнуть при транспортировке. Открыв коробку, можно увидеть помимо планок инструкцию по эксплуатации и наклейку от производителя. В качестве приятного бонуса компания предоставляет пожизненную гарантию на ремонт оперативной памяти, но только в случае покупки в комплекте.

Для лучшего охлаждения модули оснащены защитным корпусом с радиатором. Охлаждение при разгоне играет важную роль, так как повышается энергопотребление и растет тепловыделение.

На задней стороне есть наклейка с данными HX424C15FBK432, которая расшифровывается следующим образом:

• HX — модель оперативной памяти HyperX;
• 4 — принадлежность к стандарту DDR4;
• 24 — определение рабочей частоты 2400 мегагерц;
• C — данная маркировка указывает на то, что оперативная память относится к настольному типу компьютеров;
• 15 — такова задержка чтения данного модуля;
• F — маркировка модели Fury;
• B — обозначение цветового сегмента планки;
• K4 — комплектация, в данном случае — четыре штуки;
• 32 — общий объем оперативной памяти.

Для того чтобы упростить процедуру установки модулей оперативной памяти в материнскую плату, производитель обеспечил возможность автоматического подключения. Данный параметр особенно важен в том случае, если нет возможности самостоятельно настроить показатели работы оперативной памяти.

Разгон оперативной памяти через БИОС

Разгон оперативной памяти DDR3 примерно такой же как у DDR4. Поиск настроек, тестирование и общий процесс будет проходить одинаково. Однако стоит подробнее разобраться с каждым из возможных вариантов для того, чтобы исключить серьезные ошибки. К тому же, есть два алгоритма разгона, которые отличаются.

Разгон ОЗУ в БИОС Award

Для начала стоит сказать, что мы советуем записать все изначальные настройки системы перед тем, как вы будете что-то менять, а также записывать результаты с определенными параметрами настроек. Так вам будет легче потом вернуть все в обычное состояние, а также не будет проблем, если вы захотите вернуться к одним из настроек, которые пробовали раньше. Записывать лучше на листке, который будет всегда под рукой.

Вам может быть интересна наша статья: Что делать, если не загружается БИОС: проблемы и решение.

Чтобы понять, как разогнать оперативную памяти в БИОСе Award, нажмите на своей клавиатуре одновременно Ctrl + F1, на экране должно появиться большое меню настроек. В настройках ищите “MB Intelligent Tweaker (M.I.T.)”.

Вы должны увидеть такие настройки ОЗУ как System Memory Multiplier. Для того, чтобы начать работу по увеличению скорости ОЗУ и ее эффективности, вам необходимо менять частоту этого показателя. Так будет идти вниз или вверх показатель тактовой частоты ОЗУ

Важно помнить о том, что если вы хотите увеличить скорость работы ОЗУ, которая стоит на старом процессоре, то множитель для процессора и для памяти будет совпадать. Так что при попытках увеличить эффективность работы своей оперативной памяти, вы автоматически будете одновременно разгонять еще и процессор

Для многих окажется неприятной неожиданностью, но от этого «бага» вы никак не сможете избавиться. А чтобы увеличить эффективность ОЗУ в данном случае понадобится покупать дополнительную аппаратуру, но это особенность старой техники.

В этом же окне настроек вы можете увеличить напряжение, которое подается на оперативную память. Но будьте внимательны, это может делать только человек, который хорошо разбирается в технике потому что такие действия могут привести к непредвиденным последствиям и даже вызвать возгорание. Если вы не сильны в электрике — не трогайте. Также не нужно сильно поднимать напряжение за один раз — на одну десятую Вольта будет достаточно. И если вы все-таки захотели это сделать, проверьте все параметры собственной безопасности и убедитесь в правильных расчетах.

После собственноручной установки необходимой, по вашему мнению, частоты и после того, как вы поменяли напряжение (если знаете, умеете и решились на это), вам нужно выйти стрелкой назад к пункту с основным меню. В основном меню стоит найти “Advanced Chipset Features”. В этом пункте можно выбрать нужные вам тайминги задержки. Но запомните одну деталь: для настройки параметров задержки нужно заранее изменить положение пункта DRAM Timing Selectable из Auto на Manual. По сути, вы выведите его на возможность настраивать вручную.

Как рассчитать необходимую зависимость частот от тайминга, будет рассказано в разделе ниже.

Разгон ОЗУ в БИОСе UEFI

Биос UEFI — самый молодой БИОС из тех, которые устанавливаются на современные компьютеры, поэтому он выглядит очень похожим на операционную систему. Именно поэтому для обычного пользователя намного удобнее настраивать ОЗУ и другие параметры через этот БИОС. В отличие от более старых версий системы, у него есть графика, а также возможность поддержки разных языков, среди которых есть русский.

Прежде, чем начать настройку, следует открыть вкладку “M.I.T.” и выбрать в этой вкладке пункт “Расширенные настройки частот”. В этой версии БИОСа есть русский интерфейс, перепутать будет сложно.

После этого, как и в предыдущем пункте, необходимо начать регулировать настройки памяти. После — перейти в пункт “Расширенные настройки памяти и начать изменять параметры тайминга и напряжения (если вы имеете достаточно опыта и знаний для того, чтобы проводить подобне изменения настроек).

Описание оборудования для разгона ОЗУ Crucial DDR4

Для разгона оперативной памяти Crucial DDR4 используется материнская плата BioStar с сокетом АМ4, форм-фактор которой miniATX. Процессор установлен AMD Ryzen, у которого четыре ядра и восемь потоков. Номинальная частота центрального процессора равна 3700 мегагерц, а кэш третьего уровня доходит до восьми мегабайт.

Для демонстрации прироста понадобится дискретный графический адаптер, в лице которого представлена GeForce GTX 1050Ti. Четыре гигабайта видеопамяти типа GDDR5 обладают 128-битной шиной и 768 CUDA-ядрами.

Блок питания от ZALMAN мощностью 450 ватт обладает бронзовым сертификатом качества международного уровня «80+».

Сама оперативная память представлена в виде одной планки на восемь гигабайт. Ее частота в стоке составляет 2400 мегагерц, а время задержки 17-17-17-42.

От чего зависит разгон?

Самые главные характеристики ОЗУ — это частота и тайминги. Тайминги отображают, какой промежуток времени необходим модулю RAM для доступа к битам данных при выборке из таблицы массивов памяти. Если говорить простым языком, то чем они ниже, тем лучше

Однако именно частота, всё же, является самой важной характеристикой и в большей степени влияет на производительность памяти

Вольтаж

Как и при разгоне процессора, память, работающая на высокой частоте, потребует и увеличенного напряжения, подаваемого на чипы. Для ОЗУ с типом DDR2, 1,8 В — нормальное напряжение. Для DDR3 — уже 1,5 В. А для современной DDR4 — 1,2 В. Соответственно, для каждого типа существует определенный уровень напряжения, через который не рекомендуется переступать, чтобы память работа стабильно и не вышла из строя. Для DDR2 значение 2,2 В считается пиковым. Для DDR3 — 1,7 В. Для DDR4 — 1,4 В.

Ранг памяти

Узнать, сколько рангов имеет ваша память — очень просто. Для этого нужно воспользоваться любой утилитой, которая мониторит технические характеристики ваших комплектующих. Например, с этой задачей хорошо справляет программа CPU-Z. На вкладке SPD, в графе Ranks, вы найдете то, что вам нужно.

Еще можно взглянуть на маркировку на самой планке. Однако, производитель не всегда наносит на маркировку подобные данные. Одноранговые модули помечаются буквой S. Двухранговые — буквой D. Пример:

• KVR21N15S8/8 — одноранговая.
• KVR21N15D8/8 — двухранговая.

Производитель чипов

Существует несколько компаний, занимающихся производством чипов памяти. Самые распространенные — Samsung, Hynix, Micron. Лучше всех в разгоне показывают себя чипы от компании Samsung из-за того, что способны взять самую высокую частоту среди конкурентов. Впрочем чипы от оставшихся производителей — тоже неплохие. Другое дело — компании, которые в производстве чипов не так сильно преуспели. Например, фирменные чипы от AMD или от SpecTek не позволят вам покорить высокую частоту. Посмотреть производителя чипов тоже можно с помощью программ для мониторинга. Например, AIDA64 это умеет.

В главном окне выберете категорию Системная плата, затем «SPD» и в графе «Производитель DRAM» найдете компанию-разработчика.

Описание разгона

Для тестирования представлено две планки по четыре гигабайта, разгон оперативной памяти DDR4 2400 начинается с минимальных частот. Для начала можно запустить программу CPU-Z и посмотреть на номинальную частоту оперативной памяти.

После этого нужно установить планки в свои слоты и запустить систему. Не дожидаясь появления значка операционной системы, нужно нажать определенную клавишу, на каждой материнской она разная, и вызвать БИОС. В разделе оперативной памяти, или DRAM, выставляются оптимальные тайминги, подбирается делитель и повышается вольтаж. В некоторых материнских платах есть уже подготовленные настройки по разгону оперативной памяти.

Когда все значения выставлены, можно перезагрузить компьютер и дождаться полной загрузки. После этого можно зайти в «Диспетчер устройств» или воспользоваться CPU-Z, чтобы убедиться в работоспособности планок и их разгона.

Для чего используют разгон ОЗУ

Прежде чем приступать к разгону, стоит подумать, действительно ли это необходимо. В основном, этот тип деятельности проводится только для гейминга. Погоня за высокой частотой кадров заставляет не только покупать новое оборудование, но и настраивать текущее, чтобы получить максимальную производительность.

Однако разница будет видна только в некоторых случаях. Это, в основном, относится к интегрированным видеокартам, где оперативная память потребляется видеокартой, которой оснащены процессоры Ryzen. В этом случае ресурс ОЗУ влияет на эффективную работу всего чипа. Конечно, многое зависит и от самих игр. Некоторые из них, в основном, загружают видеокарту, другие, напротив, в большей степени используют вычислительную мощность процессора и оперативную память.

Принимая решение о разгоне, сначала стоит ознакомиться со всеми важнейшими параметрами RAM. Это позволит понять ее специфику, а также лучше подготовиться к самому разгону.

Что понадобится для разгона

Как и в случае с разгоном процессора, цель – увеличить тактовую частоту. Лучшие параметры обеспечат более высокую производительность, а также большую нагрузку. Поэтому ключевым условием является выбор правильного оборудования, которое позволит провести весь процесс безопасным и стабильным способом. Итак, что же нужно?

1. Материнская плата – должна быть хорошего качества, а также обеспечивать достаточный источник питания и поддержку более высоких рабочих частот ОЗУ (стоит проверить это в спецификации платы).
2. Кулеры в корпусе – будут отводить избыточное тепло.
3. Обновленный BIOS и UEFI – возможно, производитель материнской платы предоставил новые функции или оптимизировал предыдущие, что упростит процесс разгона.
4. Программа Memtest – проверка стабильности оперативной памяти после разгона. Конечно, можно использовать и другой диагностический софт.

Основные термины

Прежде чем приступить к разгону, стоит ознакомиться с используемыми терминами:

1. Тактовая частота – это скорость чтения и записи данных контроллером. Это влияет на скорость выполнения вычислений процессором.
2. CL (CAS Latency) – указывает время, необходимое для считывания данных контроллером памяти с момента отправки запроса. Чем ниже значение, тем лучше.
3. RCD (RAS-CAS Delay) – это время, которое проходит с момента завершения выполнения команды CAS, до начала выполнения следующей RAS.
4. RAS (Row Addres Strobe) – указывает время, необходимое для активации банка памяти до загрузки строки. Этот параметр имеет мало значения для производительности.
5. RP (Ras Precharge) – время, необходимое для закрытия банка памяти.
6. Вольтаж – память, предназначенная для разгона, потребляет больше электроэнергии. Питание имеет решающее значение для разгона.

Важно помнить, что CL и тактовая частота должны быть в равновесии – не стоит использовать высоко тактовую память с большими задержками, ведь ее потенциал не будет раскрыт

DDR4-2133 Corsair Vengeance

Как и в предыдущем варианте, данная оперативная память хорошо функционирует с процессорами «Сокет 2011-3» и АМ4. В комплекте четыре планки по четыре гигабайта, форм-фактор соответствует стандарту DIMM, а временная задержка составляет 13-15-15-28. В стандартном режиме ОЗУ работает с частотами от 1333 до 2133 мегагерц, но с профилем XMP второй версии можно начинать разгон оперативной памяти DDR4 Corsair Vengeance с показателей 2133 или 2400 мегагерц.

Комплектация модулей выглядит внушающей — картонная коробка, внутри которой два пластиковых контейнера, в каждом по два модуля. Такая упаковка надежно защищает не только от ударного урона, но и от статических повреждений.

Внешний вид планок выполнен качественно, особенно что касается системы охлаждения самих модулей. Самостоятельно радиаторы, установленные на планках оперативной памяти, могут охладить разогнанные модули, которые работали несколько часов подряд, до 42 градусов по Цельсию.

Есть возможность снять систему охлаждения, но тогда возникает риск повреждения чипов памяти и нарушение гарантии. Между микросхемами и радиатором расположена специальная термопрокладка, которая обеспечивает плотный контакт между ними, заполняя собой все свободное пространство.

Поставщиком чипов для данной оперативной памяти является Hynix — компания, которая поставляет чипы для различных видов комплектующих.

Разгон оперативной памяти

Все операции в оперативной памяти зависят от:

• частоты
• таймингов
• напряжения

Тестовый образец

Цифра прописанная на планке оперативной памяти не является тактовой частотой. Реальной частотой будет половина от указанной, DDR (Double Data Rate — удвоенная скорость передачи данных). Поэтому память DDR-400 работает на частоте 200 МГц, DDR2-800 на частоте 400 МГц, а DDR3-1333 на 666 МГц и т.д.

Итак, если на нашей планке оперативной памяти стоит метка 1600 МГц, значит оперативная память работает на частоте 800 МГц и может выполнить ровно 800 000 000 тактов за 1 секунду. А один такт будет длиться 1/800 000 000 = 125 нс (наносекунд)

Физические ограничения

Мы подобрались к главному в разгоне, а именно физическому ограничению, контроллер просто не успеет зарядить ячейку памяти за 1 шаг, на это требуется потратить времени не меньше, чем определенного физическими законам. А то, что нельзя сделать за 1 шаг, делается за несколько.

физическое ограничение памяти

Например, в нашем случае, требуется потратить около 7 шагов на зарядку. Таким образом, зарядка ячейки длится 875 нс. Полное кол-во шагов, за которые можно выполнить одну операцию, буть то чтение, запись, стирание или зарядка, называют таймингами.

Стоит оговориться и сказать. Есть способ зарядить ячейку быстрее, нужно заряжать её большим напряжением. Если мы увеличиваем базовое напряжение работы оперативной памяти, то получаем преимущество по времени зарядки и следовательно можем уменьшить тайминг, тем самым увеличив скорость.

Итак, мы знает, что частота памяти это количество операций, которое может совершить контроллер за 1 секунду, в то время как тайминги это количество шагов контроллера, требуемое для полного завершения 1 действия.

В оперативной памяти реализовано множество таймингов, каких именно в рамках статьи не имеет особо значения

Важно лишь одно, чем ниже тайминги, тем быстрее работает память

Именно увеличивая частоты, исключительно в сочетании с таймингами можно добиться увеличения производительности.

Стандартные профили таймингов

Качественная материнская плата даёт массу возможностей по оверклокингу. В оперативную память же встроены стандартные профили таймингов, оперативная память точно знает какие тайминги нужно выставлять с предлагаемыми частотами и настойчиво рекомендует «мамке» использовать именно их. Войдя в BIOS в раздел оверклокинга оперативной памяти, первое за что хочется подергать, это частота оперативной памяти. При изменении частоты автоматически пересчитываются таймтинги. По факту вы получаете примерно ту же производительность, но для другой частоты. Кроме того, матплата старается держать тайминги в стабильной зоне работы.

Тайминги наглядно

Продолжаем рассматривать тестовый образец. Как будет вести себя память после разгона?

График таймингов, в зависимости от частоты. Красным обозначено минимальное количество таймингов до преодоления физического ограничения.

Как видим из таблицы и графика, поднимая частоту, нам необходимо увеличивать тайминги, а вот время затрачиваемое на операцию практически не изменяется, как и не растёт скорость.

Как видим, средняя оперативная память с частотой 800 будет равна по производительности оперативной памяти с частотой 2400

На что действительно стоит обратить внимание, так это качество материалов, которые применил производитель. Более качественные модули дадут возможность выставлять более низкие тайминги, а следовательно большее кол-во полезных операций

Intel Sandy Bridge

Новейшие процессоры Intel, представленные
двухтысячной линейкой Core i3/i5/i7, придутся по душе
оверклокерам-новичкам. Матерые адепты разгона считают, что с приходом Sandy
Bridge разгонять систему стало слишком скучно. Все дело в том, что в этих
процессорах опорная частота (у Intel она зовется BCLK), от которой пляшут все
основные исполнительные блоки, практически не поддается изменению — стоит
отклонить ее на какие-то 6-7 МГц, и система начинает вести себя неадекватно.
Соответственно, старые добрые приемы в случае с Sandy Bridge не работают, поэтому
единственный способ разогнать оперативку (как, впрочем, и процессор) — увеличивать
соответствующий множитель. Благо контроллер памяти, встроенный в новые
процессоры, вышел довольно шустрым, и частота в 2133 МГц ему покоряется без
проблем. Поскольку трогать BCLK настоятельно не рекомендуется, итоговая опорная
частота памяти в любом случае должна быть кратна 266 МГц, то есть не любой
набор DDR3 удастся завести именно на той частоте, что заявлена его
производителем. Скажем, модули DDR3-2000, встретившись с новыми процессорами
Intel, будут работать как DDR3-1866.

Заметим, что одного лишь процессора Sandy Bridge для
эффективного разгона ОЗУ недостаточно — нужна еще и подходящая материнская
плата. Все дело в том, что Intel искусственно ограничила оверклокерские
возможности не только процессоров (множитель можно увеличить лишь у моделей с
индексом «К»), но и чипсетов. Так, младшие наборы логики память разгонять не
умеют, поэтому в системных платах на их основе даже самые скоростные модули
будут работать как DDR3-1333. А вот чипсет Intel P67 Express,
позиционирующийся как решение для энтузиастов, поддерживает режимы вплоть до
DDR3-2133, поэтому к выбору материнской платы под Sandy Bridge стоит подходить
со всей основательностью.

Шаг 5.

Когда вы нашли максимальную частоту и напряжение для вашего модуля и вас все устраивает, то вам нужно провести более долгий тест на стабильность. Эти тесты можно проводить не один раз или в играх.

Если в ходе более долгих тестов у вас будут возникать какие-то проблемы, то можно немного поднять тайминги, понизить частоту или немного поднять напряжение.

В случае, когда память стабильна, то можно:

– оставить все как есть

– еще раз «поиграть» с таймингами, но уже в обратную сторону, то есть на уменьшение. Это уже имеет название «вылизывание» таймингом. Процесс необязательный, нудный, но порой дающий довольно неплохие плоды.

– «поиграть» можно также и с напряжением, уменьшая его на 0.01 или 0.1 V. Таким образом, вы снижете напряжение до того минимума, когда работа оперативной памяти будет стабильна и быстра.

Шаг 4.

После увеличения таймингов пробуем запустить ПК и снова провести стресс-тест.

Если у нас все получается, то мы снова можем начать увеличивать частоту на 100 МГц и продолжать делать все так же по кругу.

В тот момент, когда тайминги уже достигли значений 23-24, а память все равно не запускается или ведет себя нестабильно у вас есть две альтернативы:

1. Вы можете остановиться на предыдущих значениях частоты и таймингов и закончить на этом разгон.
2. Не самый лучший выбор, но он все же есть. Можно «поиграть» с напряжением, увеличивая его (максимум до 1,45 V), но все это на ваш страх и риск. Потому что стабильную и долгую работу памяти после напряжения 1,35 никто вам гарантировать не может. Особенно если ваша модуль оперативной памяти не имеют радиаторов и хорошего обдува.

Пошаговая “методика разгона”.